电机控制MOS管,305a90v,12N09场效应管参数中文资料-KIA MOS管
305a90v,12N09场效应管参数引脚图
KCX012N09N场效应管漏源击穿电压90V,漏极电流305A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,产品性能稳定可靠,在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源(UPS)中广泛应用,高效低耗;封装形式:TO-263、TOLL,体积小,散热出色。
305a90v,12N09场效应管参数
漏源电压:90V
漏极电流:305A
栅源电压:±20V
脉冲漏电流:12200A
单脉冲雪崩能量:1280MJ
功率耗散:260W
阈值电压:3.1V
总栅极电荷:141nC
输入电容:10572PF
输出电容:3117PF
反向传输电容:54PF
开通延迟时间:115nS
关断延迟时间:78nS
上升时间:80ns
下降时间:49ns
305a90v,12N09场效应管规格书
联系方式:邹先生
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持
免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。
