17N10场效应管,259a100v,KCX017N10N参数资料-KIA MOS管
17N10场效应管参数引脚图
KCX017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；封装形式：TO-263、TOLL，散热良好。
17N10场效应管参数
漏源电压：100V
漏极电流：259A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：1036A
单脉冲雪崩能量：1365MJ
功率耗散：250W
阈值电压：3V
总栅极电荷：176nC
输入电容：10120PF
输出电容：1360PF
反向传输电容：50PF
开通延迟时间：85nS
关断延迟时间：92nS
上升时间：137ns
下降时间：98ns
17N10场效应管参数规格书
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