推挽电压尖峰高原因及解决方法分享-KIA MOS管
推挽电压尖峰高原因
推挽变换器电压尖峰高主要由变压器漏感和功率管关断时的电流突变引起。
在推挽电路中，当功率管关断时，变压器漏感储存的能量无法快速释放，导致电流突变，在功率管漏极产生尖峰电压。若漏感能量较大，可能损坏功率管(如MOSFET)。
通常推挽拓扑中功率管选用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是电流而是电压，这正是由于推挽变换器漏感所致。
推挽电压尖峰高解决方法
1、在每个开关管的并联位置添加反并联二极管。这样做可以在开关管关断时提供一个回路，使电感中的能量得以释放，从而降低尖峰电压的幅值。
2、使用瞬态电压抑制器（TVS）。TVS是一种保护元件，能够抑制瞬态过电压。将其连接在推挽电路中，可以在尖峰电压出现时提供一个低阻抗通路，将过电压引导到地，保护其他元件不受损坏。
3、在推挽电路的输出端添加合适的滤波电路，如LC滤波器或RC滤波器，以对尖峰电压进行滤波和衰减。选择合适的电感和电容值可以实现对尖峰电压的有效控制。
处理尖峰电压的方法需要根据具体的推挽电路设计和应用需求来选择。同时，尖峰电压的幅值和频率也非常重要，必须确保所选的处理方法能够有效地降低尖峰电压，并保证系统的稳定性和可靠性。
电压尖峰高改善方法
优化电路设计
降低变压器漏感：通过优化绕组布局和参数设计减少漏感。
增加吸收电路：在功率管漏极接入RCD吸收电路或TVS二极管，抑制尖峰电压。
控制驱动信号
采用软开关技术：通过控制占空比和死区时间，使功率管在关断前降低电流变化率，减少尖峰。
同步驱动信号：确保两只功率管切换时无重叠区域，避免偏磁引起的额外尖峰。
器件选择
选用耐压更高的功率管：根据输出电压选择余量充足的器件。
优化PCB布局：降低分布电感影响，确保功率管漏极走线远离高频信号线。
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