47n60场效应管代换,50a600v,60R065参数资料-KIA MOS管
50a600v,60R065参数引脚图
47n60场效应管参数代换型号KLM60R065B漏源击穿电压600V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 50mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷75nC，减少损耗、提高效率；开关速度快、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、超高坚固性，稳定可靠；广泛应用于高频开关电源及功率转换电路，性能优越；封装形式：TO-247，散热出色、抗击穿能力强。
50a600v,60R065场效应管参数
漏源电压：600V
漏极电流：50A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：150A
雪崩能量单脉冲：281MJ
最大功耗：329W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：78nC
输入电容：3200PF
输出电容：80PF
反向传输电容：5PF
开通延迟时间：19nS
关断延迟时间：75nS
上升时间：9ns
下降时间：11ns
50a600v,60R065场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
