充电器mos,2408MOS管,190a80v,KCY2408A场效应管-KIA MOS管
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2408MOS管,190a80v参数引脚图
KCY2408A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流190A，采用SGT-MOSFET技术，专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；快速切换能力，确保应用高效率、低损耗，稳定可靠；广泛应用于交流直流快速充电器、同步整流及电池管理中，性能优越；封装形式：DFN5*6，双面散热出色、降低占用空间。
2408MOS管,190a80v参数
漏源电压：80V
漏极电流：190A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：750A
雪崩能量单脉冲：880MJ
最大功耗：227W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：105nC
输入电容：6670PF
输出电容：1020PF
反向传输电容：54PF
开通延迟时间：30nS
关断延迟时间：65nS
上升时间：20ns
下降时间：18ns
2408MOS管,190a80v规格书
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