dcdc变换器mos管,80v160a场效应管,KNB2708A参数-KIA MOS管
dcdc变换器mos管,KNB2708A参数引脚图
KNB2708A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流160A，采用专有新型沟槽技术制造，极低导通电阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗提高效率；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，性能优越，稳定可靠；广泛应用于高效DCDC转换器、同步整流、ups逆变器中，封装形式：TO-263，散热性能优异、节省空间。
dcdc变换器mos管,KNB2708A参数
漏源电压：80V
漏极电流：160A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：640A
雪崩能量单脉冲：1100MJ
总功耗：313W
总栅极电荷：115nC
阈值电压：2-4V
输入电容：9300PF
输出电容：650PF
反向传输电容：260PF
开通延迟时间：50nS
关断延迟时间：112nS
上升时间：135ns
下降时间：75ns
dcdc变换器mos管,KNB2708A规格书
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