7n80场效应管代换,7a800v,KIA7N80HF参数现货-KIA MOS管
7a800v,7n80场效应管参数引脚图
7n80场效应管代换型号KIA7N80HF漏源击穿电压800V，漏极电流7A，采用先进的平面条状DMOS技术制造，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，低栅极电荷27nC，最大限度降低导通电阻、提供卓越的开关性能；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能出色；在雪崩模式和换向模式下承受高能脉冲，高效稳定，非常适合用于高效开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正系统；封装形式：TO-220F。
7a800v,7n80场效应管参数
漏源电压：800V
漏极电流：7A
栅源电压：±30V
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：56W
总栅极电荷：27nC
阈值电压：3-5V
输入电容：1300 PF
输出电容：120 PF
反向传输电容：10PF
开通延迟时间：40nS
关断延迟时间：50nS
上升时间：100ns
下降时间：60ns
7a800v,7n80场效应管规格书
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