半导体分立器件有哪些,分类介绍-KIA MOS管

分立器件

分立器件按功能划分为二极管、三极管、场效应管和晶闸管等类型。最新研究显示，其分类已拓展至材料维度，包含硅基、锗基及化合物半导体器件。在结构维度上，涵盖PN结二极管、双极型晶体管和MOSFET等多种形式，其中硅基MOSFET因兼具大功率与高频特性成为主流应用。分立器件广泛应用于整流、信号放大和电力控制等领域。

半导体分立器件

半导体分立器件有哪些？

常见的半导体分立器件包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管、IGB等。这些器件的主要制造材料包括硅、锗、碳等半导体元素，第一代和第二代半导体是硅基材料，第三代仪碳化硅和氮化镓为代表，主要用于制造二极管、MOS管、IGBT等。

二极管

二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，具有阳极和阴极两个电极。根据材料，二极管可以分为硅二极管和锗二极管。二极管在电路中可以起到整流、检波、开关等作用。二极管种类很多，包括稳压二极管、肖特基二极管、瞬态二极管、光敏二极管等。

三极管

三极管是一种具有三个电极的半导体器件，基极、集电极和发射极。三极管可以通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流，从而实现放大信号的作用。三极管在电路中可以起到放大、开关、振荡等作用。

场效应管

场效应管是一种通过电场效应控制电流的半导体器件，有源极、栅极和漏极三个电极。场效应管具有高输入阻抗、低噪声等优点，因此在高速、低功耗的电路中得到广泛应用。

可控硅

可控硅简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管，是一种具有可控导通能力的半导体器件，它包括阳极、阴极和门极三个电极。晶闸管可以在控制信号的作用下实现导通和关断，因此广泛应用于电力电子、控制等领域。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。单向可控硅也就是我们通常所说的晶闸管，双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。

IGBT

IGBT，中文全称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT与微电子技术中芯片技术（CPU）一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，能控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。

半导体分立器件