元器件功耗计算公式,功率器件功耗计算-KIA MOS管
元器件功耗计算方法
通用公式：
所有元器件的基础功耗均遵循电学规律，可用公式P=IV(功率=电流x电压)计算。
电阻：
电阻的发热量由下式算得
P=I2R 或 P=U2/R
I--流过电流值(A)；R--电阻值(Ω)；U--电阻两端的电压(V)
变压器
变压器包括铜损和铁损两部分：
Pb= Pw + Pc
铜损：
Pw =2×Ip×Np×Lp×Rz
铁损：
Pc=Pv×Ve
功率器件功耗计算
功率MOSFET：
通态功耗
Pd=IDS2RDS(ON)
IDS--漏极电流，A,给定值RDS(ON)-MOSFET在工作结温下的通态热阻，可按直接下式计算，也可以从器件数据手册中查。RDS(ON)(Tj)=Ro[1+α(Tj-25o)],Ω, 通态电阻Ro--25℃时额定值，给定值α--温度系数，一般为：0.01
开关损耗
开通时损耗：PON=IceoVcetofff
开通过程损耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss
关断时损耗：Poff=IcVcestonf
关断过程损耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6Coss
MOSFET的总损耗为：Ptotal=Pd+Pon+Poff+Pr+Pf
双极型晶体管(IGBT)：
通态损耗(饱和损耗或稳定损耗)：
Pc=UCEIcδ
开关损耗：
Ps=(1/2)UCEOIc(ton+toff)fs=(Eon+Eoff)fs
总损耗：
Pd=Pc+Ps
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