wlp封装,wlp封装工艺流程,晶圆级封装-KIA MOS管
wlp封装介绍
晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP），是一种直接在晶圆上完成大部分或全部封装测试程序，再进行切割制成单颗组件的先进封装技术 。
WLP基本工艺是在晶圆完成IC加工后，通过特定工艺直接在晶圆上构建IC互连接口，完成测试、老化等流程后再进行分割，直接产出IC成品。
在晶圆上进行封装过程的好处：
1、由于侧面未涂覆封装材料，因此封装后的芯片尺寸较小。晶圆上，晶粒的密度更高，平均成本更低。
2、方便批量生产制造芯片，缩短工期，总体成本也比较低。
3、芯片设计和封装设计可以统一考虑，提升设计效率，降低设计成本。
晶圆级封装，可以分为：扇入型晶圆级封装（Fan-In WLP）和扇出型晶圆级封装（Fan-Out WLP）。这里的“扇（Fan）”，指的是芯片的尺寸。
wlp封装工艺流程
1.Fab-out Wafer
晶圆准备，这是整个封装过程的起始步骤。首先要有一个经过制造过程完成的晶圆，上面已经形成了电路结构。在晶圆的表面的钝化层（Passivation Layer），用于保护晶圆表面的电路不受外界湿气，化学物质的影响。
2.Thin Film Deposition & Thick Photoresist (TPR) Coating
薄膜沉积：在钝化层上沉积一层金属薄膜，通常是Ti，Cu，Cr，Au等，作为电镀的金属种子层。
厚光刻胶涂覆：在金属薄膜上涂覆一层厚光刻胶并曝光显影，该步将特定区域打开，有些部位则被光刻胶盖住。
3.Cu Electroplating
铜电镀：通过电镀工艺在已经图形化的光刻胶上电镀铜层。这一步是形成较厚的RDL，将PAD上的信号引出。
4.TPR Strip & Thin Film Etching
光刻胶去除：移除覆盖在不需要电镀的地方的光刻胶，暴露出下面的金属层。
薄膜蚀刻：蚀刻掉未被光刻胶保护的金属薄膜部分，一般用湿法刻蚀的方法。
5.Dielectric Coating
介电层涂覆：在已经形成的金属结构上涂覆一层介电材料如氧化硅或PI等，以隔离金属层并保护它们不受外界环境的影响。
6.Ball Mounting
锡球安装：在介电层上的打开位置安装焊球。锡球用于实现芯片到电路板的电气连接。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
