80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管
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80R240场效应管,800Vmos管参数引脚图
KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强，结电容低，稳定可靠；广泛应用于开关电源等领域，封装形式：TO-220F，散热出色。
80R240场效应管,800Vmos管参数
漏源电压：800V
漏极电流：18A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：54A
单脉冲雪崩能量：69MJ
功率耗散：83W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：45nC
输入电容：2020PF
输出电容：1.6PF
反向传输电容：22PF
开通延迟时间：55nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：20ns
下降时间：30ns
80R240场效应管,800Vmos管规格书
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