60R170,600v22a场效应管,to220封装,KLP60R170B参数-KIA MOS管
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600v22a场效应管,60R170参数引脚图
KLP60R170B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压600V，漏极电流22A，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，减少功耗提高系统效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强，结电容低，稳定可靠；广泛应用于开关电源等领域，封装形式：TO-220，散热出色。
80R240场效应管,800Vmos管参数
漏源电压：600V
漏极电流：22A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：57A
单脉冲雪崩能量：985MJ
功率耗散：36W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：31nC
输入电容：1250PF
输出电容：3.5PF
反向传输电容：35PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：55nS
上升时间：9ns
下降时间：10ns
80R240场效应管,800Vmos管规格书
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