适配器充电器mos,500v mos,to220,KNP6450B场效应管-KIA MOS管
适配器充电器mos,500v mos,to220,KNP6450B场效应管-KIA MOS管
500v mos,KNP6450B参数引脚图
KNP6450B场效应漏源电压500V，漏极电流13A，低导通电阻RDS(on) 0.35Ω，最大限度地减少导通损耗，高效率低损耗，性能优越；具备快速切换特性，实现快速切换电源；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配器和充电器电源开关电路中；封装形式：TO-220，散热出色。
500v mos,KNP6450B参数
漏源电压：500V
漏极电流：13A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：52A
雪崩能量单脉冲：900MJ
功率耗散：150W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：46nC
输入电容：2155PF
输出电容：215PF
反向传输电容：25PF
开通延迟时间：16nS
关断延迟时间：46nS
上升时间：26ns
下降时间：36ns
500v mos,KNP6450B规格书
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