电机mos,12a900v场效应管,to247封装,KNM6390A参数-KIA MOS管
电机mos,12a900v场效应管,to247封装,KNM6390A参数-KIA MOS管
12a900v场效应管,KNM6390A参数引脚图
KNM6390A场效应管漏源击穿电压900V，漏极电流12A，采用高级平面工艺制造，低导通电阻RDS（ON）0.75Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗，提高系统效率；具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快，加固多晶硅栅极结构，稳定可靠；广泛应用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等；封装形式：TO-247，散热出色、适用于高耐压场景。
12a900v场效应管,KNM6390A参数
漏源电压：900V
漏极电流：12A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：48A
雪崩能量单脉冲：1200MJ
总功耗：175W
总栅极电荷：84nC
阈值电压：2-4V
输入电容：3002PF
输出电容：248PF
反向传输电容：75PF
开通延迟时间：26nS
关断延迟时间：66nS
上升时间：80ns
下降时间：78ns
12a900v场效应管,KNM6390A规格书
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