fet类型：JFET,MOSFET,MODFET,MESFET详解-KIA MOS管
fet类型：JFET,MOSFET,MODFET,MESFET详解-KIA MOS管
fet类型有哪些？
FET（场效应晶体管）主要分为结型场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属-半导体场效应管（MESFET）、调制掺杂场效应管（MODFET）等。
FET的定义
FET （Field Effect Transistor,场效应晶体管）是一种通过电场效应控制输出电流的单极型半导体器件，仅由多数载流子（电子或空穴）参与导电过程，属于电压控制型器件。
主要类型及特点
结型场效应管（JFET）
结构：由N型或P型半导体棒构成，栅极通过PN结控制沟道电流。
分类：N沟道（电子导电）和P沟道（空穴导电），均为耗尽型（零栅压时导通）。
特点：输入阻抗高、噪声低，但开关速度较慢。
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
结构：栅极与沟道间通过绝缘层（如二氧化硅）隔离，分为增强型（零栅压截止）和耗尽型（零栅压导通）。
N沟道MOSFET：栅极正电压形成电子沟道。
P沟道MOSFET：栅极负电压形成空穴沟道。
金属-半导体场效应管（MESFET）
结构：栅极采用金属-半导体接触（非PN结），常用砷化镓材料。
应用：高频射频（RF）和微波电路。
调制掺杂场效应管（MODFET）
MODFET(Modulation-DopedFET)调制掺杂场效应管，也称HEMT(Electron-Mobility Transistor)高电子迁移率晶体管，也称TEGFET(two-dimensional electron-gas FET)二维电子气场效应晶体管，也称SDHT(Selectively Dopd Heterojuntion transistor)选择掺杂异质结晶体管。
它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供沟道，而不像金属氧化物半导体场效应管那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道，即它与MOSFET的结构不同在于导电沟道材料不同。
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