高电平转低电平方法,高电平转低电平电路-KIA MOS管
高电平转低电平方法
二极管电平转换电路
利用二极管单向导通特性，输入高电平时反向截止，输出端被上拉至目标电压；输入低电平时正向导通实现电平匹配。
电路特点：
单向传输（仅支持高→低转换）。
存在0.2-0.7V导通压降（需选用肖特基二极管）。
三极管电平转换电路
NPN型：输入高电平导通，输出低电平；输入低电平截止，输出被上拉至高电平。
PNP型：工作逻辑与NPN互补，适用于特定场景驱动。
MOS管双向转换方案
支持双向通信且无方向控制引脚，适用于I2C、SPI等总线协议。
设计要求：
低侧电压需大于MOS管阈值电压（一般Vth<2V）。
拓扑结构：N沟道MOS管串联在高低压域间，源极接低电压端，漏极接高电压端。
MOS管双向电平转换电路
这种电路方案的V1电压≤V2电压，且V1电压要大于MOS管导通电压。
当S1A为低电平的时候，MOS管Q3导通，S1A与S2A导通，S2A端被拉低到0V，实现两端都为低电平。
当S1A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S2A端由上拉电阻（上图中的 R28）拉高成高电平，实现两端都被高电平。
当S2A为低电平的时候，MOS管内部寄生二极管导通，将S1A拉低至低电平，然后MOS管导通，S1A与S2A导通，输出端被拉低到0V，实现两端都为低电平。
当S2A为高电平的时候，MOS管Q3关断，S1A端由上拉电阻（上图中的 R29）拉高成高电平，实现两端都被高电平。
这种使用MOS管做电平转换的电路切换速率较高，适用于需要进行高速电平转换的场景。
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