650v超结,11a650v,to263封装,KCB6265A参数-KIA MOS管
650v超结,11a650v,to263封装,KCB6265A参数-KIA MOS管
11a650v,KCB6265A参数引脚图
超结MOS管KCB6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率；封装形式：TO-263。
11a650v,KCB6265A参数
漏源电压：650V
漏极电流：11A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：44A
单脉冲雪崩能量：250MJ
功率耗散：92W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：22nC
输入电容：632PF
输出电容：37PF
反向传输电容：2.3PF
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：65nS
上升时间：35ns
下降时间：30ns
11a650v,KCB6265A参数规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
