650v超结mos,650v mos管,acdc转换器,KCF6265A参数-KIA MOS管
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650v超结mos,KCF6265A参数引脚图
超结MOS管KCF6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造，低导通电阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲；具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换，高效低耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；非常适合于开关模式操作中的AC/DC功率转换，以获得更高的效率；封装形式：TO-220F。
650v超结mos,KCF6265A参数
漏源电压：650V
漏极电流：11A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：44A
单脉冲雪崩能量：250MJ
功率耗散：35W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：22nC
输入电容：632PF
输出电容：37PF
反向传输电容：2.3PF
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：65nS
上升时间：35ns
下降时间：30ns
650v超结mos,KCF6265A参数规格书
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