3503mos场效应管现货,30v70a,KCY3503S参数-KIA MOS管
30v70a,3503场效应管参数引脚图
KCY3503S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流70A；采用高级沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；低栅极电荷、高电流容量、开关速度快，性能高效稳定；符合RoHS和无卤素标准，品质可靠环保；广泛应用于电脑电源管理、DC/DC转换器等；封装形式：DFN5*6。
30v70a,3503场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：70A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：280A
单脉冲雪崩能量：115.2MJ
功率耗散：43.1W
阈值电压：1.6V
总栅极电荷：20nC
输入电容：3020PF
输出电容：1570PF
反向传输电容：200PF
开通延迟时间：11nS
关断延迟时间：38nS
上升时间：6ns
下降时间：11ns
30v70a,3503场效应管规格书
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