2n65场效应管,650v2a,to252,KIA2N65HD参数引脚图-KIA MOS管
2n65场效应管,650v2a,to252,KIA2N65HD参数引脚图-KIA MOS管
2n65场效应管,KIA2N65HD参数引脚图
KIA2N65HD场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流2A，采用KIA先进平面条纹DMOS技术制造，可显著降低导通电阻、提升开关性能，并在雪崩模式和换向模式下具备优异的高能脉冲耐受能力；低导通电阻RDS(开启) 4.3Ω，最大限度地减少损耗；具有低栅极电荷（典型值6.5nC）、高抗干扰能力、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠；特别适用于高效开关电源及基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正系统等；封装形式：TO-252。
2n65场效应管,KIA2N65HD参数
漏源电压：650V
漏极电流：2A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：7.5A
单脉冲雪崩能量：100MJ
功率耗散：42W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：6.5nC
输入电容：275PF
输出电容：30PF
反向传输电容：2PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：30ns
下降时间：40ns
2n65场效应管,KIA2N65HD规格书
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