50n06场效应管参数,60v50a,to252,KIA50N06CD-KIA MOS管
50n06场效应管参数,60v50a,to252,KIA50N06CD-KIA MOS管
50n06场效应管参数引脚图
50n06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用KIA半导体LVMosfet技术制造，低导通电阻RDS(开启) 11mΩ，通过优化工艺和单元结构设计，有效降低导通状态电阻，显著提升开关性能；具有低栅极电荷、低交叉导通电流、快速开关、增强dv/dt响应能力，在运行中高效稳定可靠；广泛应用于不间断电源系统及逆变器系统的电源管理领域；封装形式：TO-252，散热出色。
50n06场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：50A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：200A
单脉冲雪崩能量：405MJ
功率耗散：90W
阈值电压：1.6V
总栅极电荷：52nC
输入电容：2450PF
输出电容：170PF
反向传输电容：130PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：180nS
上升时间：72ns
下降时间：79ns
50n06场效应管参数规格书
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