50n06d,50n06场效应管参数引脚图,KIA50N06D-KIA MOS管
50n06d,50n06场效应管参数引脚图
KIA50N06D场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 18mΩ，开关速度快，导通电阻低，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷（典型30nC）、低反向传输电容、快速开关能力以及指定100%雪崩能量、改进的dv/dt能力，在运行中高效稳定可靠；广泛应用于电子镇流器、低功率开关等；封装形式：TO-252，散热出色。
50n06d,50n06场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：50A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：200A
单脉冲雪崩能量：480MJ
功率耗散：130W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：30nC
输入电容：900PF
输出电容：430PF
反向传输电容：80PF
开通延迟时间：40nS
关断延迟时间：90nS
上升时间：100ns
下降时间：80ns
50n06d,50n06场效应管规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
