65n06场效应管参数,60v65a,to220,KIA65N06-KIA MOS管
65n06场效应管参数,60v65a,to220,KIA65N06-KIA MOS管
65n06场效应管参数引脚图
KIA65N06场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流65A，采用特有的平面条状DMOS技术制造，经过专门优化，有效降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。65n06具有低导通电阻RDS(开启) 0.016Ω，以及低栅极电荷、低漏电以及快速开关能力、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力，高效率低损耗；广泛应用于汽车电子、直流/直流转换器等低压应用领域，以及便携式和电池供电设备的高效开关功率管理；封装形式：TO-220。
65n06场效应管参数
漏源电压：60V
漏极电流：65A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：260A
雪崩能量单脉冲：650MJ
最大功耗：150W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：40nC
输入电容：2000PF
输出电容：450PF
反向传输电容：32.5PF
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：41nS
上升时间：33ns
下降时间：12ns
65n06场效应管参数规格书
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