过流保护电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管
过流保护电路原理
过电流保护是电流超过预定最大值时的电流保护装置动作。当流过被保护原件的电流超过预设值时，保护装置动作，并利用定时来保证动作的选择性，使断路器跳闸或发出报警信号。
许多电子设备都有额定电流。一旦设备超过额定电流，就会烧坏设备。因此，这些设备都做了一个电流保护模块，当电流超过设定电流时，设备自动断电保护设备，这就是过流保护。
过流保护电路图
分立元器件搭建的保护电路
电路一
原理：首先左侧CRTL-LOAD是单片机输出开启负载的控制端。CRTL-LOAD输出高电平，Q2打开，负载LOAD-IN接入。负载正常的情况下电路不会有异样，但是当负载突然变大(短路或者接错负载情况下)时，保护电路开始起作用。
过载保护部分的电路，即Q1、R3、R4、R5组成部分。Q1是常规的硅管，导通压降大致在0.7V，上图中在不接任何负载的情况下，Q1的基极电位可以计算出：
VQ1b=(R3+R4)/(R3+R4+R5)*5≈0.314V
因为当负载接入时，会在R3上产生压降，从而推动Q1基极电位增大，我们默认理想情况下0.7V时，三极管Q1会动作，由此理论上可以计算出接入多大负载电路会关断：
Ib=(0.7-VQ1b)/R3=0.386V/10=0.0386A=38.6mA
即理论上此电路最多可以接入38.6mA的负载，超过38.6mA之后，由于负载增大，导致Q1基极电位增大超过三极管理论开启电压0.7V导致Q1导通，从而拉低Q2基极，导致Q2关断，最终切断后面的大负载起到过流保护的作用。
器件选取注意：
R3要注意其精度以及封装，根据需要的功耗选择合适的封装，避免小封装对应大功耗导致器件过热。
Q2根据负载要求留有一定余量。
电路二
原理：在电源输入端串一个采样电阻到PMOS的源极S，那么这个采样电阻就会有电压差，三极管的be并到这个电阻，当压差大于Vbe时，Vgs就0了，PMOS关闭，实现过流保护。
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