830场效应管,500vmos,to252,KIA830HD参数引脚图-KIA MOS管
830场效应管,500vmos,to252,KIA830HD参数引脚图-KIA MOS管
830场效应管,500vmos参数引脚图
KIA830HD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω，最大限度地减少导电损耗，提高效率；器件具有低电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS环保要求，稳定可靠，在峰值电流或脉冲宽度方面，都能够表现出卓越的性能；830场效应管可以替代irf830、5n50场效应管型号应用在HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源中；封装形式：TO-252，散热出色。
830场效应管,500vmos参数
漏源电压：500V
漏极电流：5A
栅源电压：±20V
最大功耗：100W
开启电压：2~4V
总栅极电荷：20nC
输入电容：730PF
输出电容：80PF
反向传输电容：8PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：15ns
下降时间：20ns
830场效应管,500vmos规格书
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