7N65b参数,7n65场效应管,650v7a,KND7N65B现货-KIA MOS管
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7n65场效应管,650v7a参数
KND7N65B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流7A，采用高级平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.2Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；广泛应用于适配器、充电器、SMPS待机电源等；封装形式：TO-252，体积小、散热良好。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：7A
导通电阻：1.2Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
单脉冲雪崩能量：550MJ
功率耗散：126W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：18nC
输入电容：1100PF
输出电容：9PF
反向传输电容：80PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：16nS
上升时间：10ns
下降时间：9ns
7n65场效应管,650v7a引脚图
7n65场效应管,650v7a规格书
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