600v4a场效应管,600vmos,to252,KND4360A参数资料-KIA MOS管
600v4a场效应管,600vmos,to252,KND4360A参数资料-KIA MOS管
600v4a场效应管,KND4360A参数引脚图
KND4360A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.9Ω，最大限度地减少导电损耗，表现出卓越的导通特性；还具有快速切换能力，提高效率，经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力能够更好地应对电路中的快速变化，能够在高频率下稳定工作；广泛应用于高频开关电源、UPS、充电器以及电子镇流器等；封装形式：TO-252，散热良好。
600v4a场效应管,KND4360A参数
漏源电压：600V
漏极电流：4.0A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：16A
雪崩能量单脉冲：180MJ
总功耗：44.6W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：15.3nC
输入电容：511PF
输出电容：56.6PF
反向传输电容：5.55PF
开通延迟时间：11.3nS
关断延迟时间：37.6nS
上升时间：14.7ns
下降时间：10.4ns
600v4a场效应管,KND4360A规格书
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