4n65场效应管参数,650v4a,to252,KND4365A代换-KIA MOS管
4n65场效应管参数,650v4a,to252,KND4365A代换-KIA MOS管
4n65,KND4365A代换参数引脚图
4n65场效应管代换型号KND4365A漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，极低导通电阻RDS(开启) 2Ω，最大限度地减少导电损耗，有效降低损耗，提高电路效率；还具有快速切换能力、经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力在电路切换时快速响应，能够在高频率下稳定工作，性能优越；广泛应用于高频开关模式电源、不间断电源（UPS）、电子镇流器等；封装形式：TO-252，散热良好。
4n65,KND4365A代换参数
漏源电压：650V
漏极电流：4A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：16A
雪崩能量单脉冲：180MJ
功率耗散：55W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：15.7nC
输入电容：523PF
输出电容：58.7PF
反向传输电容：9.855PF
开通延迟时间：12.1nS
关断延迟时间：36.8nS
上升时间：14.9ns
下降时间：11.3ns
4n65,KND4365A代换规格书
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