7n65场效应管代换,650v7a,KND4665B参数现货-KIA MOS管
7n65场效应管,KND4665B参数
7n65场效应管代换型号KND4665B漏源击穿电压为650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及具备良好的导电性能；极低导通电阻RDS(开启) 1.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，提高开关速度，稳定可靠；封装形式：TO-252，散热出色。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：7A
导通电阻：1.1Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：28A
雪崩能量单脉冲：400MJ
最大功耗：42W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：24nC
输入电容：1048PF
输出电容：98PF
反向传输电容：21PF
开通延迟时间：12nS
关断延迟时间：34nS
上升时间：12ns
下降时间：14ns
7n65场效应管,KND4665B引脚图
7n65场效应管,KND4665B规格书
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