pmos开关电路,电路图原理详解-KIA MOS管
pmos开关电路
p沟道增强型mos管开关电路：
电路图显示了将 p 沟道增强型mos管用作开关的情况。可以看出，电源电压 VS施加在其源极端子 (S) 上，栅极端子提供输入电压 V i，而漏极端子通过电阻RD接地。
此外，从mos管的漏极端子通过RD获得电路V o的输出。在 p 型器件的情况下，传导电流将来自空穴，因此会从源极流向漏极 ISD，而不是从漏极流向源极（IDS) 与 n 型器件一样。
假设，只有mos管的栅极电压 VG的输入电压变低。这会导致mos管开启并为电流提供低（几乎可以忽略不计）电阻路径。
结果，大电流流过器件，导致电阻 RD上的电压降很大。这反过来导致输出几乎等于电源电压V S。接下来，考虑V i变高的情况，即当Vi 将大于器件的阈值电压（这些器件的 V T将为负值）。在这种情况下mos管将关闭并为电流提供高阻抗路径。这导致几乎为零的电流导致输出端子处的电压几乎为零。
p 沟道耗尽型mos管开关电路：
与此类似， p 沟道耗尽型mos管也可用于执行开关动作，如图所示。
该电路的工作原理与上述电路几乎相似，只是此处的截止区域为仅当 Vi = VG为正且超过器件的阈值电压时才会出现。
PMOS防电源反接电路
1、电源从左侧正常输入时：
当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。
一般PMOS的G极导通阀值为-1~2V，而绝大多数的电源电压差都要超过这个值。故Vgs超出G极导通阀值，Q1完全导通。
随着Q1完全导通，Q1的DS两端的电位差被拉低到 （此时的导通内阻 x 流过的电流），这个值一般都很小，远小于0.7V，Q1的体二极管被短路关断，并且Q1持续导通。
之后VCC向负载正常供电。负载的电压取决于MOS的压降，压降为 MOS的导通内阻 x DS电流。较小的导通内阻可获得很低的压降、很低的发热、很高的负载效率。因为MOS的导通内阻通常为几mΩ~几十mΩ，在几A的电流下压降仅仅0.0x ~ 0.xV，比肖特基二极管的0.3V更为高效。（并且二极管的压降并不是固定的，根据二极管的特性曲线得知，电流越大压降也会变得越大，所以现在的高效率电路都在用MOS来替代二极管，如DCDC的同步整流方案：省略了外部的二极管，降低了整体发热，提高了输出效率，提高了可输出电流，便于集成为单芯片转换器，减少了占地面积）
因为MOS的开通速度非常迅速，所以不用担心体二极管因电流过大造成损坏，器件的电流上升都有一个过程，而在过程刚开始的几ns，可能PMOS就已完全导通，体二极管之后就会被短路关断。
注意：图上的稳压管D1，是为了防止VCC>12V，造成MOS的G极损坏。分析电路时，可去掉稳压管来分析。
2、VCC和GND反接，电路保护：
因为Q1的体二极管反接，始终处于关断状态，即使负载为0Ω的通路，S极的电位也始终保持与G极相等，Q1始终处于关断状态。电路关断，起到电源反接保护的作用。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
