mosfet的工作原理,mosfet结构原理图-KIA MOS管
mosfet的结构
金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）是一种基于金属氧化物半导体结构的场效应晶体管。其核心由栅极、源极、漏极构成，按沟道极性分为N沟道型（NMOS）和P沟道型（PMOS）。通过栅极电压调控沟道载流子的导通状态，具有截止区、线性区及饱和区三种工作模式。
MOSFET的结构分为四大部分：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（GateQ）和基板（Bulk）。这四个部分的不同配置决定了它的工作方式。
源极（Source）：通常是电流进入的端点。对于NMOS，源极是n型半导体，通常连接到低电压。对于PMOS，源极是p型半导体，通常连接到高电压。
漏极（Drain）：电流流出端点。与源极类似，NMOS的漏极连接到负载，PMOS的漏极连接到电源。
栅极（Gate)：控制电流流动的端点。栅极上加的电压决定了源漏之间是否可以形成导电的沟道。栅极与基板之间有一层绝缘层，通常是二氧化硅（SiO2）。
基板（Bulk）：通常是较大的硅片本身，可以是p型或n型半导体。基板的作用是为器件提供结构支持。
mosfet的工作原理（以NMOS为例）
NMOS由n型半导体构成的源极和漏极，而基板（衬底）通常是p型半导体。
工作原理：
关闭状态（栅极电压低于阈值电压 Vth）
当栅极电压（V_GS)低于阈值电压（V_th)时，栅极产生的电场不足以在基板和源极之间形成导电通道。
在这种情况下，p型基板中的孔（空穴）不会被驱动到栅极下方，因此源极和漏极之间无法形成连接。
这时，NMOS处于关闭状态，电流不能从源极流向漏极。
开启状态（栅极电压大于阈值电压 Vth)
当栅极电压（V_GS） 大于阈值电压（V_th） 时，栅极电场会影响基板下方的载流子分布。p型基板中的空穴被推到远离栅极的地方，同时将电子从源极引导到栅极下方，从而在源极和漏极之间形成一个导电的n型沟道。
这样，电子就能从源极通过导电通道流向漏极，形成电流。这个过程就是MOSFET的“导通”状态。
通过栅极电压的控制，NMOS实现了源极与漏极之间的电流流动。
栅极电压的调节作用
栅极电压（V_GS）越大，导电通道的电导越大，电流也会增大。
栅极电压低于阈值时，通道关闭，电流无法流动。
PMOS与NMOS的工作原理基本相同，但载流子类型相反，PMOS使用的是空穴（即正电荷），而NMOS使用的是电子（即负电荷）。
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