bldc mos,3530场效应管,300v70a,KNH3530A参数-KIA MOS管
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3530场效应管,KNH3530A参数
KNH3530A场效应管漏源击穿电压300V，漏极电流70A，采用专利平面技术制造，低导通电阻RDS(on) 45mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，降低开关损耗；具有坚固的多晶硅栅极结构，稳定可靠，提供卓越的开关性能；在BLDC电机驱动器、电焊机、高效 SMPS中广泛应用，封装形式：TO-3P，散热效果好，适合高功率应用场景。
详细参数：
漏源极电压：300V
漏极电流：70A
导通电阻：45mΩ
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：276A
雪崩能量单脉冲：44964MJ
功率耗散：520W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：380nC
输入电容：5975PF
输出电容：815PF
反向传输电容：455PF
开通延迟时间：40nS
关断延迟时间：515nS
上升时间：200ns
下降时间：180ns
3530场效应管,KNH3530A引脚图
3530场效应管,KNH3530A规格书
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