逆变器mos,400v10a场效应管,irf740代换,KNP6140A-KIA MOS管
逆变器mos,400v10a场效应管,irf740代换,KNP6140A-KIA MOS管
400v10a场效应管,KNP6140A参数
KNP6140A场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流10A，采用专有的新平面技术制造，低导通电阻RDS(开启) 0.35Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅电荷，最小化开关损耗，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠；广泛应用于调光器和照明、DC-AC逆变器、电机驱动等；封装形式：TO-220，散热出色、适合高功率场景。
详细参数：
漏源电压：400V
漏极电流：10A
导通电阻：0.35Ω
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：650MJ
最大功耗：140W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：28nC
输入电容：1254PF
输出电容：150PF
反向传输电容：21PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：44nS
上升时间：25ns
下降时间：28ns
400v10a场效应管,KNP6140A引脚图
400v10a场效应管,KNP6140A规格书
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