保护板mos,30v90a场效应管,KNY3303B参数引脚图-KIA MOS管
30v90a场效应管,KNY3303B参数
KNY3303B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，采用KIA先进的沟槽技术，特别针对减少导通损耗、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲进行了优化；低导通电阻RDS(开启) 2.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，具有低交叉频率、开关速度快，高效低耗以及100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；广泛应用于PWM应用、负载开关、电源管理等；封装形式：DFN5*6，体积小，散热出色。
详细参数：
漏源极电压：30V
漏极电流：90A
导通电阻：2.6mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：360A
雪崩能量单脉冲：342MJ
最大功耗：68W
阈值电压：1.5V
总栅极电荷：70nC
输入电容：4002PF
输出电容：438PF
反向传输电容：395PF
开通延迟时间：15nS
关断延迟时间：42nS
上升时间：19ns
下降时间：11ns
30v90a场效应管,KNY3303B引脚图
30v90a场效应管,KNY3303B规格书
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