pmos管防倒灌,防反接电路图分享-KIA MOS管
pmos管防倒灌
PMOS管防倒灌电路通过控制栅极电压实现电流单向导通，防止电源断开时后级电压反向流入前级。
防倒灌电路
结构：PMOS漏极接电源正极，源极接负载，栅极通过电阻接地。
原理：正常供电时，栅极电压低于源极，PMOS导通；断电时，栅极电压被拉高，PMOS关断，阻断反向电流。
防反接与防倒灌结合电路
增加稳压管：在栅极与地间加稳压管，防止过压损坏PMOS。
双MOS背靠背：两个PMOS反向串联，通过三极管控制栅极，实现双向防倒灌。
防倒灌,防反接电路图
如图所示，两个Pmos管背靠背连接到一起，用一个三极管Q3控制Q1、Q2两个MOS的开通与关断。
用一个0.1Hz的方波信号来模拟IO口电平。
当Q3基极输入高电平时，三极管导通，Q1、Q2的栅极都被拉到0V，Q1通过体二极管，符合条件（Vgs<0）先导通，接着Q2的源极S端电压大于栅极G端电压（Vgs<O）也进入导通状态。负载端得到VCC电压，如下图为5V。
当Q3基极输入低电平时，三极管截止，Q1、Q2不能满足条件，进而不能导通，同时由于Q1和Q2的体二极管是反方向串联的，所以不管哪个方向，输入和输出都是不通，起到防反接、防倒灌作用。此时，探针处电压为4.82mV，接近0V。
优点：当负载端是电池或者大容量的电容时，可以有效防止电流倒灌。
缺点：需要一个I0口去控制输入输出是否有电压。
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