30v80a mos,3080场效应管参数,to252,KND3080-KIA MOS管
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30v80a mos,3080场效应管参数
KND3080是一款N沟道逻辑电平增强模式功率MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，减少导通损耗，超低栅极电荷，高效低耗；CdV/dt效应显著下降、100% ΔVds测试、100%UIS测试，稳定可靠、绿色器件可用；广泛应用于电机控制和驱动、电池管理、UPS不间断电源等；封装形式：TO-252，体积小，散热出色。
详细参数：
漏源极电压：30V
漏极电流：80A
导通电阻：4.3mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：320A
雪崩能量单脉冲：169MJ
最大功耗：53W
栅极阈值电压：1.5V
总栅极电荷：25nC
输入电容：1500PF
输出电容：188PF
反向传输电容：170PF
开通延迟时间：6nS
关断延迟时间：30nS
上升时间：12ns
下降时间：8ns
30v80a mos,3080场效应管引脚图
30v80a mos,3080场效应管规格书
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