80v130a mos,2908场效应管参数,to263封装,KNB2908D-KIA MOS管
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80v130a mos,2908场效应管参数
KNB2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，采用专有的新型技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，减少开关损耗，提高效率；具有卓越的电气参数，高雪崩电流，能够承受高功率负载，稳定可靠；无铅设备，绿色环保；广泛应用于电源切换应用程序、硬开关和高频电路、不间断电源等；封装形式：TO-252，散热良好。
详细参数：
漏源电压：80V
漏极电流：130A
导通电阻：4.8mΩ
栅源电压：±25V
脉冲漏电流：500A
单脉冲雪崩能量：900MJ
功率耗散：246W
阈值电压：3.0V
总栅极电荷：110nC
输入电容：4500PF
输出电容：640PF
反向传输电容：230PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：40nS
上升时间：16ns
下降时间：52ns
80v130a mos,2908场效应管引脚图
80v130a mos,2908场效应管规格书
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