017N10mos,259a100v场效应管,toll封装,KCT017N10N-KIA MOS管
017N10mos,259a100v场效应管,toll封装,KCT017N10N-KIA MOS管
017N10mos,259a100v场效应管参数
KCT017N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流259A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，适用于电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）等，性能优越；封装形式：TOLL，体积小、低寄生电感、高热性能，广泛应用于高功率密度场景。
详细参数：
漏源电压：100V
漏极电流：259A
导通电阻：2mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：1036A
单脉冲雪崩能量：1365MJ
功率耗散：250W
阈值电压：3V
总栅极电荷：176nC
输入电容：10120PF
输出电容：1360PF
反向传输电容：50PF
开通延迟时间：85nS
关断延迟时间：92nS
上升时间：137ns
下降时间：98ns
017N10mos,259a100v场效应管引脚图
17N10场效应管参数规格书
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