电机控制,12N10mos,12N10场效应管,KCT012N10N参数-KIA MOS管
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12N10mos,12N10场效应管参数
KCT012N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流330A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），最大限度地减少导电损耗，提高效率；100% DVDS测试、100% 雪崩测试、符合JEDEC标准，稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；封装形式：TOLL，广泛应用于高功率密度场景。
详细参数：
漏源电压：100V
漏极电流：330A
导通电阻：1.5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：1320A
单脉冲雪崩能量：540MJ
功率耗散：461W
阈值电压：3V
总栅极电荷：260nC
输入电容：15800PF
输出电容：1930PF
反向传输电容：75PF
开通延迟时间：81nS
关断延迟时间：167nS
上升时间：178ns
下降时间：68ns
12N10mos,12N10场效应管引脚图
12N10mos,12N10场效应管规格书
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