50N08场效应管参数,电机驱动mos,85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管
50N08场效应管参数,电机驱动mos,85v120a,KCT050N08N-KIA MOS管
85v120a,50N08场效应管参数
KCT050N08N场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，确保可靠性和稳定性，广泛应用于电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中；封装形式：TOLL，体积小，散热良好，适用于高功率密度场景。
详细参数：
漏源电压：85V
漏极电流：120A
导通电阻：4.6mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
单脉冲雪崩能量：144MJ
功率耗散：174W
阈值电压：3V
总栅极电荷：55nC
输入电容：3086PF
输出电容：1057PF
反向传输电容：26PF
开通延迟时间：20.1nS
关断延迟时间：45.1nS
上升时间：38.9ns
下降时间：22.8ns
85v120a,50N08场效应管引脚图
85v120a,50N08场效应管规格书
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