12n09,12N09场效应管参数,电机mos管,KCT012N09N-KIA MOS管
12n09,12N09场效应管参数,电机mos管,KCT012N09N-KIA MOS管
12N09场效应管参数引脚图
KCT012N09N场效应管漏源击穿电压90V，漏极电流305A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少开关损耗，提高效率；开关速度快、符合JEDEC标准，产品性能稳定可靠，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用，高效低耗；封装形式：TOLL，适用于高功率密度场景。
详细参数：
漏源电压：90V
漏极电流：305A
导通电阻：1.3mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：1220A
单脉冲雪崩能量：1280MJ
功率耗散：260W
阈值电压：3.1V
总栅极电荷：141nC
输入电容：10572PF
输出电容：3117PF
反向传输电容：54PF
开通延迟时间：115nS
关断延迟时间：78nS
上升时间：80ns
下降时间：49ns
12N09场效应管参数引脚图
12N09场效应管参数引脚图规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
