032N10mos,120a100v场效应管,032N10参数引脚图-KIA MOS管
032N10mos,120a100v参数
KCT032N10N场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A ，采用先进的MOS技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）产品（FOM），减少损耗，开关速度快，提高效率；符合JEDEC标准，100%DVDS测试、100%雪崩测试，高可靠性和稳定性，性能优越，在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源（UPS）中广泛应用；封装形式：TOLL，适用于高功率密度场景。
详细参数：
漏源电压：100V
漏极电流：120A
导通电阻：3.5mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
单脉冲雪崩能量：800MJ
功率耗散：215W
阈值电压：3V
总栅极电荷：130nC
输入电容：7470PF
输出电容：930PF
反向传输电容：50PF
开通延迟时间：50nS
关断延迟时间：97nS
上升时间：74ns
下降时间：30ns
032N10mos,120a100v引脚图
032N10mos,120a100v规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
