4n65,4n65场效应管参数,650v4a,KNF4N65F中文资料-KIA MOS管
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4n65场效应管,650v4a参数
KNF4N65F场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流4A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；无铅设备，绿色环保；广泛应用于适配器、充电器、SMPS待机电源等；封装形式：TO-220F，散热良好。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：4A
导通电阻：2.4Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：16A
单脉冲雪崩能量：70MJ
功率耗散：24W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：10nC
输入电容：560PF
输出电容：2.8PF
反向传输电容：40PF
开通延迟时间：14nS
关断延迟时间：20nS
上升时间：15ns
下降时间：7ns
4n65场效应管,650v4a引脚图
4n65场效应管,650v4a规格书
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