10n65场效应管参数引脚图,650v10a,KNF10N65B现货-KIA MOS管
10n65场效应管,650v10a参数
KNF10N65B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，采用高级平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.75Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；广泛应用于适配器、充电器、SMPS待机电源等；封装形式：TO-220F，散热良好。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：10A
导通电阻：0.75Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：40A
单脉冲雪崩能量：800MJ
功率耗散：45W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：30nC
输入电容：1600PF
输出电容：14PF
反向传输电容：110PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：35nS
上升时间：14ns
下降时间：15ns
10n65场效应管,650v10a引脚图
10n65场效应管,650v10a规格书
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