12n65,12n65场效应管参数,650v12a,KNF12N65中文资料-KIA MOS管
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12n65场效应管,650v12a参数
KNF12N65场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流12A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，开关速度快，降低开关损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、符合RoHS标准，快速恢复体二极管，性能稳定可靠；广泛应用于适配器、充电器、SMPS待机电源等；封装形式：TO-220F，散热良好。
详细参数：
漏源电压：650V
漏极电流：12A
导通电阻：0.6Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：48A
单脉冲雪崩能量：450MJ
功率耗散：73W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：50nC
输入电容：1800PF
输出电容：30PF
反向传输电容：140PF
开通延迟时间：23nS
关断延迟时间：145nS
上升时间：38ns
下降时间：58ns
12n65场效应管,650v12a引脚图
12n65场效应管,650v12a规格书
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