单相全桥逆变电路图,工作原理详解-KIA MOS管
单相全桥逆变电路
单相全桥逆变电路由四个功率开关管（IGBT/MOSFET）组成H型桥式拓扑，每个开关管并联续流二极管。通过交替导通对角线开关管实现直流-交流转换：正半周Q1、Q4导通，负载获+Ud；负半周Q2、Q3导通，负载获-Ud。周期性交替导通形成交变方波，采用SPWM技术调整开关管导通时间（占空比），可使输出波形接近正弦波，减少谐波干扰。
全桥逆变电路
逆变电路工作时，单极性调制和双极性调制时主要有以下两种工作状态：
在单极倍频调制时，还存在如下两工作状态：
SPWM调制的基本原理
如果对于交流电，如50HZ的正弦波，把它看成是有许许多多的呈阶梯状的直流信号组成，这样就可以用许许多多的宽窄不等的脉冲来等效这个正弦波了，从而实现了功率管工作在开关状态。如果在一个正弦波周期内的脉冲个数比较多，就能精度比较高地通过LC滤波网络还原成正弦波，这就是SPWM调制的基本原理。
SPWM调制波的实现方式
在模拟电路里，我们常常用调制基波（正弦波）和载波（三角波或锯齿波）的幅值来做比较，幅值高时就输出高电平或低电平产生SPWM调制波，具体实现方法就是把基波和载波分别输入到比较器的正反相输入端。
比较器输出的是占空比变化的矩形波，通过控制全桥电路4个功率管的导通顺序以及后级的LC滤波可得到正弦波形。
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