igbt驱动电路图,igbt工作原理详解-KIA MOS管
igbt工作原理
IGBT有N沟道型和P沟道型两种，主流的N沟道IGBT的电路图符号及其等效电路如下：
当栅极G为高电平时，NMOS导通，所以PNP的CE也导通，电流从CE流过。
当栅极G为低电平时，NMOS截止，所以PNP的CE截止，没有电流流过。
IGBT与MOSFET不同，内部没有寄生的反向二极管，因此在实际使用中(感性负载)需要搭配适当的快恢复二极管。
IGBT综合了（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT最主要的作用就是把高压直流变为交流，以及变频（所以用在电动车上比较多）。
igbt驱动电路
IGBT的驱动电路是IGBT与控制电路之间的接口，实现对控制信号的隔离、放大和保护，驱动电路对IGBT的正常工作及其保护起着非常重要的作用。
分立式IGBT驱动电路
电路如图所示，在电路简图中：Q1，Q3为NPN型三极管，Q2，Q4为PNP型三极管，D1～D4为保护二极管，二路PWM控制信号A，B为高电平或低电平，即A为高电平，B为低电平时，Q1、Q4导通，Q2、Q3关断，此时，Q1、Q4和T1原边绕组就形成通路，脉冲电压加在T1的原边，与原边同相位的次边得到开通驱动信号，与原边相反的次边得到关断驱动信号。这些部分的作用是将A、B信号推挽放大，并通过隔离变压器T1将驱动信号发生电路与高压电路隔离。
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