dh100p20,pmos-100v-28a,KPD7910A场效应管替代-KIA MOS管
dh100p20,pmos-100v-28a参数
dh100p20替代型号KPD7910A场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，采用先进的高密度沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 60mΩ，超低栅电荷，降低功率损耗，提高系统效率；开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）、符合JEDEC标准，稳定可靠；广泛应用于电动车、电机控制与驱动、电池管理中，封装形式：TO-252，散热出色。
KPD7910A场效应管参数能够完美匹配NCE01P18，其他替代型号为：CMD5950、SVT10500、DH100P30。
详细参数：
漏源电压：-100V
漏极电流：-28A
导通电阻：60mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-112A
雪崩能量单脉冲：242MJ
总功耗：102W
阈值电压：-2V
总栅极电荷：52nC
输入电容：3800PF
输出电容：1200PF
反向传输电容：650PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：112nS
上升时间：25ns
下降时间：75ns
dh100p20,pmos-100v-28a引脚图
dh100p20,pmos-100v-28a规格书
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