20n50场效应管参数,500v20a,KIA20N50HH现货-KIA MOS管
20n50场效应管,500v20a参数
KIA20N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷70nC，降低功率损耗，提高系统效率；快速开关能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，高效稳定可靠；专为高压、高速功率开关应用设计，适用于高效开关电源和有源功率因数校正等；封装形式：TO-3P，耐压高、抗击穿能力强。
详细参数：
漏源电压：500V
漏极电流：20A
导通电阻：0.21Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：80A
单脉冲雪崩能量：1110MJ
功率耗散：280W
总栅极电荷：70nC
输入电容：2700PF
输出电容：400PF
反向传输电容：40PF
开通延迟时间：100nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：400ns
下降时间：100ns
20n50场效应管,500v20a引脚图
20n50场效应管,500v20a规格书
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