充电宝升压电路图,Boost升压电路-KIA MOS管

Boost升压电路原理

阶段1：开关管导通（Q闭合）

电流路径：Vin→电感L→开关管Q→地。

此时电感L中有电流流过，快速储存能量（弹簧被压缩），电感两端产生“左正右负”的电压，电流越来越大（储能越来越多）。

二极管D此时被反向截止（因为电感右侧接开关管到地，电压接近0，二极管正极接电感左侧，负极接输出端，不通）。

阶段2：开关管断开（Q打开）

开关断开后，电感L的电流不能突变，会产生“左负右正”的高感应电压（因为要维持电流方向），这个电压会和输入电压 Vin叠加，一起通过二极管D输出。

电流路径：电感L→二极管D→负载→地→Vin→电感L（形成回路）。

此时电感释放能量，叠加输入电压，输出一个比Vin高的电压Vout，同时给电容C充电（电容储存能量，维持输出稳定）。

最终结果：开关不断通断，电感在导通时储能，断开时释放能量并与输入电压叠加，电容平滑输出，最终得到稳定的高电压Vout。开关导通时间越长（占空比越大），电感储存的能量越多，输出电压越高（始终高于输入电压）。

充电宝升压电路图

图为锂电池Boost升压同步整流电路。

移动电源充电宝升压电路

上图是一个升压电路，P1可接入一节1.5V（或多节并联）干电池，通过TP8350升压为5V的标准USB供电电压，用于手机、MP3、MP4等数码产品供电或充电。

充电宝、移动电源场效应管选型指南

KIA半导体针对充电宝升压电路、降压电路、电池保护等核心场景，推出多款适配充电宝、移动电源的场效应管，具有低Rds(on)、低栅极电荷、高效散热、小封装的核心优势，广泛应用于充电宝、快充移动电源、大功率移动电源等产品。

KND3080是N沟道增强型功率MOSFET，核心参数：30V，80A，Rds(on)=4.3mΩ，封装形式：TO-252，具备体积小巧、散热性能优异、导通损耗低的特点，广泛应用于充电宝电池保护电路，适配小型便携充电宝、迷你移动电源，开关响应快，能有效降低充电宝待机功耗，提升能量转换效率，适配锂电池保护的低损耗需求。

KNP3306A，N沟道MOSFET，核心参数：60V，80A，Rds(on)=7mΩ，封装形式：TO-252/TO-263，热稳定性强，抗电压脉冲能力优异，适用于充电宝升压电路、降压电路、大电流输出控制。

KNB2808A是N沟道超大电流MOSFET，核心参数：80V，150A，封装形式：TO-263，极限大电流承载能力，导通电阻低，适用于100W及以上超大功率充电宝、户外移动电源的升压电路、大电流输出控制，能满足多设备同时快充的大电流需求，长期运行稳定可靠，有效提升移动电源的充电效率和续航能力，适配高端大功率移动电源产品。

KIA4N60H，N沟道高压MOSFET，核心参数：600V，4A，封装形式：TO-252，贴片小体积，适用于小型带AC充电功能的充电宝、迷你桌面移动电源的高压辅助电源、待机电路，体积小巧，适配移动电源小型化设计，同时具备高耐压、抗冲击能力强的特点，保障市电充电过程的安全性，降低待机功耗。

选型要点：充电宝、移动电源用MOSFET需重点关注漏源击穿电压（VDS）、连续漏电流（ID）、导通电阻（RDS(ON)）及封装尺寸，VDS需匹配升压/降压电路最大电压，ID需满足充电/放电最大电流，低RDS(ON)可有效降低充电损耗、提升续航，小封装则适配移动电源小型化设计需求，同时需兼顾热稳定性，避免充电过热。

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